PS2231 PS2251-38 PS2251-60 PS2251-61 PS2251-67 PS3105 PS3109 PS3110 PS3111

产品名称： PS2231 PS2251-38 PS2251-60 PS2251-61 PS2251-67 PS3105 PS3109 PS3110 PS3111

描述：
群联的PS2231 USB-to-Flash 微控制器支持50+nm 闪存，是支持Windows Vista 中readyboost 功能的理想解决方案。PS2231 配备 AES-256 加密和 RSA-512 身份验证，可确保主机和闪存的最高级别安全。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。该芯片专为 USB 闪存盘、USB Disk-On-Module 以及 PC 主板、UMPC 和其他便携式设备中的嵌入式应用而设计。

控制器亮点：
– 符合 USB 2.0 和 1.1 主机接口规范
– 引脚对引脚兼容 PS2134、PS2136、PS2135
– 内置硬件6/12位 ECC 电路 (BCH)
– 内置硬件 512 位 RSA身份验证
– 内置硬件 256 位 AES 加密
– 支持 50nm+ 闪存
– 程序 RAM（程序可升级）
– SLC 闪存读/写速度高达 35/26 MB/s
– MLC 闪存读/写速度高达 31/12 MB /s
– Windows Vista 认证并支持 ReadyBoost 功能
– 仅支持 1 个 MLC 的 Readyboost

物理特性：
– 采用 0.16um CMOS 工艺制造
– 采用 64-Pin / 48-pin QFP 封装
– 程序 RAM（程序可升级）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash输入/输出

USB 接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– 12MHz 晶体驱动电路
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器
– 每个指令周期 1 个时钟

NAND 闪存支持：
– 支持 50nm+ 闪存
– 支持多达 8 个芯片使能引脚
– 支持 1×8 和 2×8 闪存 I/O
– 支持 SLC 大块（512/2k/4k 页） NAND 闪存
– 支持 MLC 大块(512/2k/4k page) NAND Flash Memory
– SLC flash 读/写速度高达 34/23 MB/s
– MLC flash 读/写速度高达 31/10 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持使用 RSA-512 和 AES-256 的高级安全数据存储
– 支持多个分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-38

描述
PHISON 的 PS2251-38 是一款高速 4 通道 USB-to-Flash 微控制器，支持 3Xnm+ 闪存，是超高性能产品的理想解决方案。该芯片专为U盘、U盘模块等外部存储设备而设计。
– IC 名称 = PS2251-38
– 规格 = USB 2.0
– 通道（最大）= 4
– AES = 不适用
– CE（最大）= 16
– 封装 = QFP48/64
– ECC（最大）= 24

控制器亮点：
– 符合 USB 2.0 和 1.1 主机接口规范
– 引脚对引脚兼容 PS2231 / PS2232 / PS2251-33 / PS2237 / PS2239
– 内置硬件12/16/24位 ECC 电路 (BCH)
–支持高速 480Mbit/s 和全速 12Mbit/s
– Windows Vista 认证并支持 ReadyBoost 功能

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 支持程序 RAM（固件可升级）
– 提供 48-pin / 64-pin QFP 封装
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V闪存输入/输出

USB 接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– 12MHz 晶振驱动电路
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器

NAND 闪存支持：
– 支持 3Xnm+ 闪存
– 支持多达 8 个芯片使能引脚
– 支持 MLC 大块（512/2k/4k 页） NAND 闪存
– MLC 闪存读/写速度高达 32/30 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-60

描述：
群联的 PS2251-60 是一款节省成本的 USB-to-Flash 微控制器。通过内置振荡器，PS2251-60 有助于降低 PCBA 成本。
– IC 名称 = PS2251-60
– 规格 = USB 2.0
– 通道（最大）= 1
– AES = 不适用
– CE（最大）= 8
– 封装 = QFP48
– ECC（最大）= 60

控制器亮点：
– 符合 USB 2.0 和 1.1 主机接口规范
– 内置硬件 60 位 ECC（最大）电路 (BCH)
– 支持高速 480Mbit/s 和全速 12Mbit/s
– 内置振荡器

物理特性：
– 采用 0.153um CMOS 工艺制造
– 采用 48 引脚 QFP 封装
– 支持程序 RAM（固件可升级）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

USB 接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器

NAND Flash 支持：
– 支持 3Xnm / 2Xnm+ flash
– 支持 SLC/MLC large block NAND Flash Memory
– 支持 TLC large block NAND Flash Memory
– 支持 Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.0
– 支持 Toggle mode DDR NAND Flash Memory
– MLC flash Read /写入速度高达 27/15 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-61

描述：
群联的 PS2251-61 是一款节省成本的 USB-to-Flash 微控制器。通过内置振荡器，PS2251-61 有助于降低 PCBA 成本。
– IC 名称 = PS2251-61
– 规格 = USB 2.0
– 通道（最大）= 1
– AES = 不适用
– CE（最大）= 8
– 封装 = QFP48
– ECC（最大）= 60

控制器亮点：
– 符合 USB 2.0 和 1.1 主机接口规范
– 内置硬件 60 位 ECC（最大）电路 (BCH)
– 支持高速 480Mbit/s 和全速 12Mbit/s
– 内置振荡器

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 采用 48 引脚 QFP 封装
– 支持程序 RAM（固件可升级）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

USB 接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器

NAND Flash 支持：
– 支持 3Xnm / 2Xnm+ flash
– 支持 SLC/MLC large block NAND Flash Memory
– 支持 TLC large block NAND Flash Memory
– 支持 Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.0
– 支持 Toggle mode DDR NAND Flash Memory
– MLC flash Read /写入速度高达 23/15 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-67

描述：
群联的 PS2251-67 是一款节省成本的 USB-to-Flash 微控制器。通过内置振荡器，PS2251-67 有助于降低 PCBA 成本。
– IC 名称 = PS2251-67
– 规格 = USB 2.0
– 通道（最大）= 1
– AES = 不适用
– CE（最大）= 8
– 封装 = QFP48
– ECC（最大）= 60

控制器亮点：
– 符合 USB 2.0 和 1.1 主机接口规范
– 内置硬件 60 位 ECC（最大）电路 (BCH)
– 支持高速 480Mbit/s 和全速 12Mbit/s
– 内置振荡器

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 采用 48 引脚 QFP 封装
– 支持程序 RAM（固件可升级）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

USB 接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器

NAND Flash 支持：
– 支持 3Xnm / 2Xnm+ flash
– 支持 SLC/MLC large block NAND Flash Memory
– 支持 TLC large block NAND Flash Memory
– 支持 Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.0
– 支持 Toggle mode DDR NAND Flash Memory
– MLC flash Read /写入速度高达 23/15 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-01

描述：
群联的PS2251-01是一款Super Speed USB 3.0-to-Flash微控制器，支持最新的3X/2X nm闪存。PS2251-01 向后兼容 USB 2.0 和 USB 1.1。
– IC 名称 = PS2251-01
– 规格 = USB 3.0
– 通道（最大）= 8
– AES = N/A
– CE（最大）= 16
– 封装 = BGA289 / aQFN174
– ECC（最大）= 6X

控制器亮点：
– 符合 USB 3.0 主机接口规范
– 向后符合 USB 2.0 & 1.1 主机接口规范
– 内置硬件 60 位 ECC 电路 (BCH)
– 集成 32 位处理器
– 支持超高速 5Gbit/s
– 支持高速 480Mbit/s 和全速 12Mbit/s

物理特性：
– 支持程序 RAM（固件可升级）
– 采用 AQFN 174 或 BGA 289 封装
– 工作电压：4.5 ~ 5.5V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

接口支持：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– USB 3.0

NAND 闪存支持：
– 支持 3Xnm / 2Xnm+ 闪存
– 支持 SLC/MLC 大块 NAND 闪存
– 支持 TLC 大块 NAND 闪存
– 支持开放 NAND 闪存接口 (ONFI)
– 支持切换模式 DDR NAND 闪存
– MLC 闪存读取/写入速度高达 245MB/s 读取和 145MB/s 写入

其他特性：
– 支持全局磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多个分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-02

描述：
群联PS2251-02是一款超高速USB 3.0-to-Flash微控制器芯片，支持3X/2X/1X nm闪存。PS2251-02 向后兼容 USB 2.0 和 USB 1.1。
– IC 名称 = PS2251-02
– 规格 = USB 3.0
– 通道（最大）= 1
– AES = 不适用
– CE（最大）= 4
– 封装 = QFP64
– ECC（最大）= 6X

控制器亮点：
– 支持 USB 3.0 接口
– 向后符合 USB 2.0 & 1.1 主机接口规范
– 内置增强型 ECC 电路（BCH）
– 集成 8051 兼容 8 位微处理器
– 支持 Super Speed ??(5Gb/s)
– 支持高速??(480Mb/s), 全速??(12Mb/s)

特性：
– 使用程序 RAM（固件更新）
– 提供 TQFP64 封装
– 施加电压：4.5V ~ 5.5V
– 内置稳压器支持 3.3V/1.8V 闪存 I/O 接口

支持接口：
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）
– USB3.0

NAND 闪存支持：
– 支持 3X / 2X / 1X NAND 闪存
– 支持 SLC / MLC / TLC 闪存
– 支持开放 NAND 闪存接口 (ONFI)
– 支持 Toggle-mode DDR 闪存
– 集成 8051 兼容 8 位微处理器
– 支持超高速 (5Gb/s)
– 支持高速 (480Mb/s) 和全速 (12Mb/s)

其他特性：
– 支持全局磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多个分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-03

描述：
群联PS2251-03是一款超高速USB 3.0-to-Flash微控制器芯片，支持3X/2X/1X nm闪存。PS2251-03 向后兼容 USB 2.0 和 USB 1.1。
– IC 名称 = PS2251-03
– 规格 = USB 3.0
– 通道（最大）= 2
– AES = 不适用
– CE（最大）= 8
– 封装 = QFP64/48
– ECC（最大）= 6X

控制器亮点：
– 支持 USB 3.0 接口
– 向后符合 USB 2.0 & 1.1 主机接口规范
– 内置增强型 ECC 电路（BCH）
– 集成 8051 兼容 8 位微处理器
– 支持 Super Speed ??(5Gb/s)
– 支持高速??(480Mb/s), 全速??(12Mb/s)

特性：
– 使用程序 RAM（固件更新）
– 采用 EP-TQFP64、EP-LQFP 48 封装
– 施加电压：4.5V ~ 5.5V
– 内置稳压器支持 3.3V/1.8V 闪存 I/O界面

支持接口：
– USB 3.0
– 用于灵活应用的主 SPI（串行外设接口）

NAND 闪存支持：
– 支持 3X / 2X / 1X NAND 闪存
– 支持 SLC / MLC / TLC 闪存
– 支持开放 NAND 闪存接口 (ONFI)
– 支持 Toggle-mode DDR 闪存

其他特性：
– 支持全局磨损均衡
– 实现省电
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持多个分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-07

描述：
群联PS2251-07是一款超高速USB 3.0-to-Flash微控制器芯片，支持3X/2X/1X nm闪存。PS2251-07 向后兼容 USB 2.0 和 USB 1.1。

控制器亮点：
– 支持 USB 3.0 接口
– 向后符合 USB 2.0 & 1.1 主机接口规范
– 内置增强型 ECC 电路 (BCH)
– 支持 Super Speed ??(5Gb / s)
– 支持 High Speed ??(480Mb /s), 全速??(12Mb/s)

特性：
– 使用程序 RAM（固件更新）
– 采用 TQFP64、EP-LQFP 48 封装
– 施加电压：4.5V ~ 5.5V
– 内置稳压器支持 3.3V/1.8V 闪存 I/O 接口

支持接口：
– USB 3.0

NAND 闪存支持：
– 支持 3X / 2X / 1X NAND 闪存
– 支持 SLC / MLC / TLC 闪存
– 支持 Open NAND Flash Interface 3 (ONFI 3)
– 支持 Toggle 2.0 模式 DDR 闪存

其他特性：
– 支持全局磨损均衡
– 实现省电
– 支持多个分区和隐藏模式

产品名称： PS2251-08

描述：
群联 PS2251-08 是一款超高速 USB 3.0-to-Flash 微控制器芯片，支持 1X/1Y/1Z nm 闪存。PS2251-08 向后兼容 USB 2.0 和 USB 1.1。

控制器亮点：
– 支持 USB 3.0 接口
– 向后符合 USB 2.0 & 1.1 主机接口规范
– 内置增强型 ECC 电路（BCH）
– 支持 Super Speed（5Gb/s）
– 支持 High Speed（480Mb） /s），全速（12Mb/s）

特性：
– 使用程序 RAM（固件更新）
– 采用 QFP64、QFP 80 封装
– 施加电压：4.5V ~ 5.5V
– 内置稳压器支持 3.3V/1.8V 闪存 I/O 接口

支持接口：
– USB 3.0

NAND 闪存支持：
– 支持 1X/ 1Y/ 1Z NAND 闪存
– 支持 SLC / MLC / TLC 闪存
– 支持 Open NAND Flash Interface 3 (ONFI 3)
– 支持 Toggle 2.0 模式 DDR 闪存

其他特性：
– 支持全局磨损均衡
– 实现省电
– 支持多个分区和隐藏模式

固态硬盘

产品名称： PS3105

描述：
群联的PS PS3105-S5 SATA-to-Flash 微控制器专为SATA SSD、mini-SATA 模块和嵌入式NAND 应用而设计。它可以支持 20/30/40+ nm MLC/SLC 大块 NAND 闪存高达 32 芯片使能容量..
– IC Name = PS3105
– Spec = SATA II
– mDDR/DDR = Mandatory
– Capacity(Max) = 512 GB
– Channel(Max) = 8
– CE(Max) = 64
– AES Support = Yes
– Common Features = 1. SMART 2. NCQ/TRIM 3. 用于固件升级的可编程 RAM

控制器亮点：
– 兼容 SATA 规范版本 2.6
– 兼容 SATA I/II 1.5Gbps 和 3Gbps 接口
– 支持 128/256MB Mobile-DDR Cache
– 支持 1×8/ 2×8/ 4×8 Flash I/O
– 支持1×8 2×8 4×8 Flash IO
– 内置硬件 28/32/48-bit ECC 电路 (BCH)
– 支持 1×8 2×8 4×8 Flash IO
– Program RAM (Program Upgradable)

物理特性：
– 采用 90nm CMOS 工艺制造
– 采用 324 引脚 BGA 封装
– 工作电压：0.9~3.6 V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

NAND 闪存支持：
– 支持 20/30/40nm+ 闪存
– 支持多达 32 个芯片使能引脚
– 支持交错 4、两个平面和 8 通道闪存访问
– 支持 1×8/2×8/4X8 闪存 I/O
– 支持SLC/MLC 大块（4k/8k 页）NAND 闪存
– MLC NAND R/W 速度高达 250/220 MB/s

其他功能：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持型号名称信息更新

产品名称： PS3107

描述：
群联的PS PS3107 SATA-to-Flash 微控制器专为各种类型的SATA 模块和嵌入式NAND 应用而设计。它可以支持多达 10/20/30+ nm MLC/SLC 大块 NAND 闪存，具有多达 16 个芯片使能容量。
– IC 名称 = PS3107
– 规格 = SATA II
– mDDR/DDR = 可选
– 容量（最大）= 128 GB
– 通道（最大）= 4
– CE（最大）= 16
– AES 支持 = 否
– 通用特性 = 1. SMART 2. NCQ/TRIM 3. 用于固件升级的可编程 RAM

控制器亮点：
– 兼容 SATA 规范版本 2.6
– 兼容 SATA I/II 1.5Gbps 和 3Gbps 接口
– 支持 32/64/128 DDRII 缓存
– 内置增强型 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）

物理特性：
– 采用 90nm CMOS 工艺制造
– 采用 256 引脚 BGA 封装
– 采用 128 引脚 TQFP 封装
– 工作电压：0.9 ~ 3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

NAND 闪存支持：
– 支持 10/20/30+nm 闪存
– 支持多达 16 个芯片使能引脚
– 支持交错、2 平面和 4 通道闪存访问
– 支持 SLC/MLC 大块（4k/8k 页）NAND闪存
– MLC NAND R/W 速度高达 180/180 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持型号名称信息更新

产品名称： PS3108

描述：
群联的PS PS3108 SATA-to-Flash 微控制器专为各种类型的SATA 模块和嵌入式NAND 应用而设计。它可以支持多达 10/20+ nm MLC/SLC 大块 NAND 闪存，具有多达 64 个芯片使能容量。

控制器亮点：
– 兼容 SATA 3.0 规范
– 兼容 SATA I/II/III 1.5G/ 3G/ 6Gbps 接口
– 支持 2Gb/4Gb DDRIII Cache
– 内置增强高达 72bit/1KB ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM （程序可升级）

物理特性：
– 采用 55nm CMOS 工艺制造
– 可用 324 引脚 BGA 封装
– 工作电压：0.9 ~ 3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

NAND 闪存支持：
– 支持 10/20+nm 闪存
– 支持多达 64 个芯片使能引脚
– 支持交错、2 平面和 4 通道闪存访问
– 支持 SLC/MLC 大块（8K/16K 页）NAND 闪存
– MLC 顺序 R/W 速度高达 500/300 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持型号名称信息更新

产品名称： PS3109

描述：
群联 PS3109 SATA-to-Flash 微控制器专为各种类型的 SATA 模块和嵌入式 NAND 应用而设计。它可以支持多达 10/20/30+ nm SLC/MLC 大块 NAND 闪存，具有多达 16 个芯片使能容量。

控制器亮点：
– 兼容 SATA 规范版本 2.6
– 兼容 SATA I/II/III 1.5Gbps、3Gbps 和 6Gbps 接口
– 可配置 8Mbytes/32Mbytes SDRAM 内存
– 内置增强型 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）

物理特性：
– 采用 55 nm CMOS 工艺制造
– 采用 256 引脚 TFBGA 封装
– 工作电压：3.0V~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

NAND 闪存支持：
– 支持 10/20/30+nm 闪存
– 支持多达 16 个芯片使能引脚
– 支持交错、2 平面和 4 通道闪存访问
– 支持 SLC/MLC 大块（4k/8k/16k 页) NAND 闪存
– MLC NAND R/W 速度高达 500/200 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现省电
– 支持型号名称信息更新

产品名称： PS3110-S10

描述：
群联 PS3110 是一款四核 SATA-to-Flash 微控制器，专为各种类型的 SATA 模块和嵌入式 NAND 应用而设计。其NAND Flash接口最多支持8通道和32个CE，可实现高达100,000 IOPS。它还支持 TLC NAND 闪存，这使 PS3110 成为实现高存储容量的理想选择。

控制器亮点：
– 兼容 SATA 规范版本 3.2
– 兼容 SATA I/II/III 1.5Gbps、3Gbps 和 6Gbps 接口
– 可配置 2Gb/4Gb/8Gb DDRIII 缓存
– 内置增强型高达 120bit/2KB ECC 电路（ BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）

物理特性：
– 采用 55 nm CMOS 工艺制造
– 采用 521 引脚 FBGA 封装
– 工作电压：0.9V~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O

NAND Flash 支持：
– 支持 1x/1ynm flash
– 支持 interleave、4-plane 和 8-channel Flash 访问
– 支持 MLC/TLC 大块 (8k/16k page) NAND Flash Memory
– MLC R/W 速度高达 550/530 MB/s 的顺序性能和 100K/90K 随机 IOPS。

签名特性：
– SmartECC
– SmartFlush
– GuaranteedFlush
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 端到端数据路径保护

SD\MMC

产品名称： PS8003

描述：
群联的 PS8003 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8003 支持 SPI 和 SD 模式，同时将时钟频率扩展至 50MHz，以实现更高的数据传输速率。多总线宽度（x1 位、x4 位）特性允许主机设计灵活性和更高的数据传输带宽。

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本
1.01、1.1、2.0和 SDHC – 引脚对引脚兼容 PS8000
– 内置硬件 4 位 ECC 电路（Hamming & Reed-Solomon）
– 支持 70nm+ 闪存
– SLC 闪存读/写速度高达 23/18 MB/s
– MLC 闪存读/写速度高达 22/14 MB/s
– 使用 1 个 SLC 或 2 个 MLC 达到 6 级
– Windows Vista 认证

物理特性：
– 采用 0.16um CMOS 工艺制造
– 采用 51 引脚 LGA 封装（3.0mm x 7.6mm x 0.7mm）
– 掩模 ROM
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8 V 闪存输入/输出

SD 接口：
– 支持 SD/SPI 模式
– 0-50MHz 可变时钟速率
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器
– 每个指令周期 1 个时钟

NAND 闪存支持：
– 支持 70nm+ 闪存
– 支持多达 4 个芯片使能引脚
– 支持 1×8 和 2×8 闪存 I/O
– 支持 SLC 大块（每页 2k + 64 字节） NAND 闪存
– 支持 MLC 大块（ 2k + 64Bytes per page) NAND Flash Memory
– SLC flash 读/写速度高达 23/18 MB/s
– MLC flash 读/写速度高达 22/14 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持安全数据存储

产品名称： PS8005

描述：
群联的 PS8005 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8005 内置高达 12 位的 BCH ECC，能够在 SPI、eMMC 和 SD 模式下支持 50+nm 闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本
1.01、1.1、2.0和 SDHC – Pin-to-pin 兼容 PS8001、PS8000
– 内置硬件6/9/12位 ECC 电路 (BCH)
– 支持 50nm+ 闪存
–程序 RAM（程序可升级）
– SLC 闪存读/写速度高达 23/20 MB/s
– MLC 闪存读/写速度高达 22/14 MB/s
– 使用 1 个 SLC 或 2 个 MLC 达到 6 级
– Windows Vista 认证

物理特性：
– 采用 0.16um CMOS 工艺制造
– 采用 51 引脚 LGA 封装（3.0mm x 7.6mm x 0.7mm）
– 程序 RAM（程序可升级）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持3.3V/1.8V 闪存输入/输出

SD 接口：
– 支持 SD/MMC/SPI 模式
– 0-50MHz 可变时钟频率
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制
– 集成 80C51 兼容 8 位微处理器
– 每个指令周期 1 个时钟

NAND 闪存支持：
– 支持 50nm+ 闪存
– 支持多达 4 个芯片使能引脚
– 支持 1×8 和 2×8 闪存 I/O
– 支持 SLC 大块（2k/4k 页） NAND 闪存
– 支持 MLC 大块（2k /4k 页) NAND 闪存
– SLC 闪存读/写速度高达 23/20 MB/s
– MLC 闪存读/写速度高达 22/14 MB/s

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持安全数据存储

产品名称： PS8030

描述：
群联的 PS8030 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8030内置Enhanced BCH ECC，能够在SPI和SD模式下支持20/30/40/50+nm闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。
– IC 名称 = PS8030
– 规格 = SD 3.0
– 容量（最大）= 64 GB
– 通道（最大）= 2
– CE（最大）= 4
– 速度等级（最大）= 10
– 通用特性 = 1。内置硬件增强型 ECC 电路 (BCH)2。程序 RAM（程序可升级）

控制器亮点：
符合 SD 系统规范 3.0 版和 SDHC 和 SDXC
内置硬件增强型 ECC 电路 (BCH)
程序 RAM（程序可升级）
支持 2×8 Flash I/O
达到 Class 10

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 采用 51-Pin LGA 封装（3.0mm x 7.6mm x 0.7mm）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I /O

SD 接口：
– 支持 SD / SPI 模式
– 支持 UHS-I (SDR/DDR50)
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制

NAND 闪存支持：
– 支持 20/30/40/50nm+ 闪存
– 支持多达 8 个芯片使能引脚
– 支持 MLC 大块（4k/8k 页） NAND 闪存
– MLC 闪存读/写速度高达 45/25 MB/ s (Testmetrix)

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 CID 寄存器（序列号/PNM/MDT…..等）信息更新和定制。

产品名称： PS8032

描述：
群联的 PS8032 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8032内置Enhanced BCH ECC，能够在SPI和SD模式下支持20/30/40/50+nm闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。
– IC 名称 = PS8032
– 规格 = SD 3.0
– 容量（最大）= 64 GB
– 通道（最大）= 1
– CE（最大）= 4
– 速度等级（最大）= 10
– 共同特性 = 3。两者都内置静态和动态磨损均衡 4. 支持 CPRM

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本 3.0 和 SDHC
– 引脚对引脚兼容 PS8006、PS8007、PS8008、PS8009 和 LGA51
– 内置硬件增强型 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）
– 支持1×8 闪存 I/O
– 达到 Class 10

物理特性：
– 采用 55nm CMOS 工艺制造
– 采用 51-Pin LGA 封装（3.0mm x 7.6mm x 0.7mm）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/哦

SD 接口：
– 支持 SD / SPI 模式
– 支持 UHS-I (SDR/DDR50)
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制

NAND 闪存支持：
– 支持 20/30/40/50nm+ 闪存
– 支持多达 4 个芯片使能引脚
– 支持 MLC 大块（4k/8k 页） NAND 闪存
– MLC 闪存读/写速度高达 27/18 MB/秒

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 CID 寄存器（序列号/PNM/MDT…..等）信息更新和定制。

产品名称： PS8035

描述：
群联的 PS8035 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8035 内置增强型 BCH ECC，能够在 SPI 和 SD 模式下支持 1x/2x/3x/4xnm 闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。
– IC 名称 = PS8035
– 规格 = SD 3.0
– 容量（最大）= 64GB
– 通道（最大）= 1
– CE（最大）= 4
– 速度等级（最大）= 10
– 通用特性 = 5。支持 SDR104（仅 PS8035） )

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本 3.0 和 SDHC/SDXC
– 引脚对引脚兼容 PS8006、PS8007、PS8008、PS8009（不支持 Toggle）和 PS8032（支持 Toggle）
– 内置硬件增强型 ECC电路 (BCH)
– 程序 RAM (Program Upgradable)
– 支持 1×8 Flash I/O
– 达到 Class 10

物理特性：
– 采用 55nm CMOS 工艺制造
– 采用 51 引脚 LGA 封装（3.0mm x 7.6mm x 0.7mm）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V Flash I/O

SD 接口：
– 支持 SD / SPI 模式
– 支持 UHS-I (SDR104/SDR50/DDR50)
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制

NAND 闪存支持：
– 支持 1x/2x/3x/4xnm 和闪存
– 支持多达 4 个芯片使能引脚
– 支持 MLC/TLC 大块（4/8/16KB 页） NAND 闪存
– MLC 闪存读/写速度高达90/45 MB/s(MLC)& 90/85 MB/s(SLC/Ultra MLC)

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 CID 寄存器（序列号/PNM/MDT…..等）信息更新和定制。

产品名称： PS8037

描述：
群联的 PS8037 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8037 内置增强型 BCH ECC，能够在 SPI 和 SD 模式下支持 1x/2x/3x/4xnm 闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本 3.0 和 SDHC
– 内置硬件增强型 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）
– 支持 1×8 Flash I/O
– 达到 Class 10

物理特性：
– 采用 55nm CMOS 工艺制造
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V Flash I/O

SD 接口：
– 支持 SD / SPI 模式
– 支持 UHS-I (SDR50/DDR50)
– 具有双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制

NAND Flash 支持：
– 支持 1x/2x/3x/4xnm 和 flash
– 最多支持 1 Chip Enable 引脚
– 支持 MLC/TLC 大块（8/16KB page） NAND Flash Memory
– MLC flash 读/写速度高达 40/10 MB/s(MLC)

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 CID 寄存器（序列号/PNM/MDT…..等）信息更新和定制。

产品名称： PS8210

描述：
群联的 PS8210 SD-to-Flash 微控制器专为 SD 卡和嵌入式 NAND 应用而设计。PS8210 内置增强型 BCH ECC，能够在 SPI 和 SD 模式下支持 1x/2x/3x/4xnm 闪存。由于增加了可编程 RAM，整个固件可升级，从而实现主机设计的灵活性。

控制器亮点：
– 符合 SD 系统规范版本 3.0 和 SDHC/SDXC
– 内置硬件增强型 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）
– 支持 2×8 Flash I/O
– 达到 Class 10

物理特性：
– 采用 55nm CMOS 工艺制造
– 采用 81 引脚 LGA 封装（6.5mm x 6.5mm x 1.0mm）
– 工作电压：2.7~3.6V
– 内置稳压器，支持 3.3V Flash I/O

SD 接口：
– 支持 SD / SPI 模式
– 支持 UHS-I (SDR104/SDR50/DDR50)
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能闪存控制

NAND 闪存支持：
– 支持 1x/2x/3x/4xnm 和闪存
– 支持多达 4 个芯片使能引脚和 2 个控制器总线
– 支持 MLC 大块（4/8/16KB 页） NAND 闪存
– MLC 闪存读/写速度高达 90/45 MB/s(MLC)& 90/80 MB/s(Ultra MLC)

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 CPRM
– 支持 CID 寄存器（序列号/PNM/MDT…..等）信息更新和定制。

读卡器

产品编号：PS2134DM

CF卡/IDE DOM/PATA

产品名称： PS3006

描述：
群联PS3006 CF/IDE-to-Flash微控制器专为CF卡、IDE SSD、IDE DOM和嵌入式NAND应用而设计。它可以支持 50+ nm MLC/SLC 大块 NAND 闪存，高达 16 芯片使能容量。

控制器亮点：
– 与 CF/IDE 规范版本 3.0
兼容 – 与 PC 卡标准发布规范版本 8.0 兼容
– 内置最大 12 位 ECC 电路 (BCH)
– 程序 RAM（程序可升级）
– 支持 50nm+ 闪存
– Windows Vista 认证并支持 Readyboost

物理特性：
– 采用 0.16um CMOS 工艺制造
– 提供 100-Pin / 128-pin LQFP 封装和 85-BGA
– 可编程 RAM
– 工作电压：2.7~5.5V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash输入/输出

CF/IDE 接口：
– 集成 PLL 振荡器
– 外部 12MHz 晶体
– 24K 程序 SRAM，固件可升级
– Intel 8051 CPU

NAND Flash 支持：
– 支持 50nm+ flash
– 支持多达 16 个 Chip Enable 引脚
– 支持 1×8/2×8 Flash I/O
– 支持 SLC 大块 (512/2k/4k page) NAND Flash Memory
– 支持 MLC 大块(512/2k/4k 页) NAND 闪存

其他特性：
– 内置静态和动态磨损均衡
– 实现节能
– 支持 VID、PID、序列号和供应商信息更新
– 支持安全数据存储

产品名称： PS3016-P8

描述：
群联的PS3016-P8 CF/IDE-to-Flash微控制器专为CF卡、IDE SSD、IDE模块和嵌入式NAND应用而设计。
– IC 名称 = PS3016-P8
– 规格 = CF5.0
– 模式 = 高达 UDMA6
– 容量（最大）= 128GB
– 闪存 = SLC/MLC 2/4/8KB
– 通道 = 4
– 磨损均衡 = 全局
– 封装 = TQFP 128 / BGA 144
– 备注 = 600X CF

控制器亮点：
– 与 CF/IDE 规范版本 4.1
兼容 – 与 PC 卡标准发布规范版本 8.0 兼容
– 内置最大 48 位 ECC 电路 (BCH) 的硬件
– 可编程 RAM（程序可升级）
– 支持 1×8 2 ×8 4×8 Flash IO
– 支持 30nm+ flash

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 提供 128 引脚 TQFP 封装和 144 引脚 BGA 封装
– 可编程 RAM / 固件可升级
– 工作电压：2.7 ~ 5.5V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V闪存 I/O
– 8051 CPU

NAND 闪存支持：
– 支持 30/40/50nm+ 闪存
– 支持多达 32 个芯片使能引脚
– 支持 4 通道闪存访问
– 支持 SLC（2k/4k/8K 页）NAND 闪存
– 支持 MLC（2k/4k/8K页) NAND 闪存

其他功能：
– 通过静态和动态磨损均衡
实现
–实现节能– 支持供应商信息自定义
– 支持数据保护和 SMART 功能

产品名称： PS3016-P9-R

描述：
群联的PS3016-P9 CF/IDE-to-Flash微控制器专为CF卡、IDE SSD、IDE模块和嵌入式NAND应用而设计。

控制器亮点：
– 兼容 CF/IDE 规范版本 6.0
– 兼容 PC 卡标准发布规范版本 8.0
– 内置最大 68 位 ECC 电路 (BCH) 的硬件
– 可编程 RAM（程序可升级）
– 支持 1×8 2 ×8 4×8 Flash IO
– 支持 10/20/30nm+ flash

物理特性：
– 采用 0.11um CMOS 工艺制造
– 采用 144 引脚 BGA 封装
– 可编程 RAM / 固件可升级
– 工作电压：3.0 ~ 5.5V
– 内置稳压器，支持 3.3V/1.8V Flash I/O
– 8051中央处理器

NAND 闪存支持：
– 支持 10/20/30nm+ 闪存
– 支持多达 32 个芯片使能引脚
– 支持 4 通道闪存访问
– 支持 SLC（2k/4k/8K/16k 页）NAND 闪存
– 支持 MLC（2k/4k /8K/16k 页) NAND 闪存

其他功能：
– 通过静态和动态磨损均衡
实现
–实现节能– 支持供应商信息自定义
– 支持数据保护和 SMART 功能

产品名称： PS3016-P9

– IC 名称 = PS3016-P9
– 规格 = CF6.0
– 模式 = 高达 UDMA7
– 容量（最大）= 128GB
– 闪存 = SLC/MLC 4/8KB
– 通道 = 4
– 磨损均衡 = 全局
– 封装 = BGA 144
–备注 = 800X CF

eMMC

产品名称： PS7000

说明：
e·MMC 是一种通用的低成本数据存储和通信媒体。它旨在涵盖广泛的应用领域，如智能手机、相机、组织者、PDA、数字录音机、MP3 播放器、寻呼机、电子玩具等。
群联提供世界上第一个 eMMC4.41 解决方案。MMC接口符合JEDEC eMMC4.41标准，向下兼容MMC4.2、eMMC4.3和eMMC4.4。此外，还提供了后台操作、增强可靠写入和高优先级写入的新功能，以满足当今移动平台的设计。
– IC 名称 = PS7000
– 规格 = eMMC4.41
– 通道（最大）= 2
– 闪存 = SLC/MLC 2/4/8K
– 支持电压 = 1.8/ 3.3V
– 封装 = LGA51
– ECC（最大）= 24
– 备注 = DDR52

特性：
– 三种数据总线宽度模式：1 位、4 位和 8 位
– 引导操作模式
– 增强可靠写入
– 继电器保护存储器块 (RPMB)
– 支持写保护
– 可变时钟频率 0 – 20MHz / 0 – 26MHz 或 0 – 52MHz
– 具有增强用户数据区选项的多用户数据分区
– 通用区域分区
– 高速双数据速率传输多媒体卡 @52MHz
– 硬件复位
– 高优先级中断 (HPI)
– 后台操作

容量：
– 2G~32G

封装：
– Type I：12 x 16 x 1.4mm 169 LBGA Ball
– Type II：14 x 18 x 1.4mm 169 LBGA Ball ??4 通道闪存访问

工作电压：
– Vcc（闪存内核）：1.8V/3.3V
– VccQ（I/O）：1.2V/1.8V/3.3V

产品名称： PS8033

说明：
– IC 名称 = PS8033
– 规格 = eMMC4.41
– 通道（最大）= 2
– 闪存 = SLC/MLC/TLC/Toggle/ONFI 2/4/8/16K
– 支持电压 = 1.8/3.3V
– 封装 = LGA81
– ECC(max) = 72
– 备注 = DDR 52

特性：
– 0.104um 技术
– 支持 eMMC 规范高达 4.41+ 版本
– 支持版本 4.5 功能：断电通知、后台操作、打包命令、丢弃、清理
– NAND 支持：8KB/页 SLC、4KB/页 MLC、8KB/页 MLC/TLC、16KB/页 MLC、Toggle/ONFI 接口
– NAND 数量：总共最多 8CE，最多 128GB
– 数据总线宽度：1/4/8位
– 默认和备用启动模式
– 睡眠/唤醒（ CMD5)
– 接口 I/O 和 NAND 电压的独立电源
– 块读取和块写入 [2 类和 4 类]
– 擦除 [5 类]
– 写保护 [6 类]
– 锁卡 [7 类]
– 可变时钟速率 0~20/0~26/0~52Mhz
– 最大数据速率高达 104MB/s
– 具有双 SRAM 缓冲模式的高性能 NAND 控制
– 双电压支持：1.7V~1.95V 和 2.7V~3.6V
– ECC 覆盖范围：72-bit/1KB
– 具有多个用户数据分区增强的用户数据区选项
– 通用区域分区 (GPAP)
– 重放保护内存块 (RPMB)
– 具有永久和部分保护选项的增强写保护
– 支持硬件复位

产品名称： PS8210

说明：
– IC 名称 = PS8210
– 规格 = eMMC4.5
– 通道（最大）= 2
– 闪存 = SLC/MLC/TLC/Toggle/ONFI 2/4/8/16K
– 支持电压 = 1.8/3.3V
– 封装 = LGA81
– ECC(max) = 72
– 备注 = HS-200

特性：
– 55nm 技术
– 支持高达 4.5 版的 eMMC 规范 – 支持
4.5 特性：断电通知、后台操作、打包命令、丢弃、清理、扩展分区、数据标签、实时时钟、上下文管理
– NAND 支持：8KB/页 SLC、4KB/页 MLC、8KB/页 MLC/TLC、16KB/页 MLC、Toggle/ONFI 接口
– NAND 数量：总共最多 8CE，最多 128GB
– 数据总线宽度：1/4/8-bit
–默认和备用引导模式
– 睡眠/唤醒 (CMD5)
– 接口 I/O 和 NAND 电压的独立电源
– 块读取和块写入 [2 类和 4 类]
– 擦除 [5 类]
– 写保护 [6 类]
– 锁卡 [第 7 类]
– 可变时钟速率 0~20/0~26/0~52Mhz/0~200Mhz
– 最大数据速率高达 200MB/s
– 双 SRAM 缓冲模式的高性能 NAND 控制
– 双电压支持：1.7V~1.95V & 2.7 V~3.6V
– ECC 覆盖范围：72 位/1KB
– 具有增强型用户数据区选项的多用户数据分区
– 通用区域分区 (GPAP)
– 重放保护内存块 (RPMB)
– 具有永久和部分保护选项的增强型写保护
– 支持硬件复位